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    【MEMS壓力傳感器】

    日期:2022-09-27 19:54
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    摘要: 上海朝輝【MEMS壓力傳感器】按原理分,有電容型、壓阻型,壓電式,金屬應變式,光纖式等。重點介紹硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器,兩者都是在硅片上生成的微機電傳感器。 【MEMS壓力傳感器】是采用高精密半導體電阻應變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的,【MEMS壓力傳感器】具有較高的測量精度、較低的功耗,極低的成本?;菟诡D電橋的壓阻式傳感器,如無壓力變化,其輸出為零,幾乎不耗電。 【MEMS壓力傳感器】采用周邊固定的圓形的應力杯硅薄膜內壁,采用MEMS技術直接將四個高精密半導體應變片刻制在其...

    上海朝輝【MEMS壓力傳感器】按原理分,有電容型、壓阻型,壓電式,金屬應變式,光纖式等。重點介紹硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器,兩者都是在硅片上生成的微機電傳感器。

    【MEMS壓力傳感器】是采用高精密半導體電阻應變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的,【MEMS壓力傳感器】具有較高的測量精度、較低的功耗,極低的成本?;菟诡D電橋的壓阻式傳感器,如無壓力變化,其輸出為零,幾乎不耗電。

    【MEMS壓力傳感器】采用周邊固定的圓形的應力杯硅薄膜內壁,采用MEMS技術直接將四個高精密半導體應變片刻制在其表面應力*大處,組成惠斯頓測量電橋,作為力電變換測量電路,將壓力這個物理量直接變換成電量,其測量精度能達0.01%~0.03%FS。【MEMS壓力傳感器】上下二層是玻璃體,中間是硅片,硅片中部做成一應力杯,其應力硅薄膜上部有一真空腔,使之成為一個典型的絕壓壓力傳感器。當外面的壓力經引壓腔進入傳感器應力杯中,應力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起,發生彈性變形,四個電阻應變片因此而發生電阻變化,破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡,產生電橋輸出與壓力成正比的電壓信號。

                                 

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